FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：50pF @ 25V
功率耗散（最大值）：100mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：SOT-883L
封装/外壳：SC-101，SOT-883
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs